NMOS管和PMOS管知识总结

对MOS管的理解

MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极D（Drain）

而MOS管有两种，一种是PMOS，一种是NMOS

MOS管-详解-CSDN博客

PMOS管

PMOS管就是positive（积极）管，PMOS管就是积极的管顺应潮流，“顺势而为”，也就是说电流从源极（输入端）到漏极（输出端）

连接方式：PMOS管、P沟道类似于PNP型三极管，漏极D接负，源极S接正，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作

导通特性：PMOS是栅极低电平（|Vgs| < Vt）导通，高电平断开，可用来控制与电源之间的导通

PMOS的特性：Vgs小于一定值就会导通，适合用于源极接Vcc时的情况（高端驱动），虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但是由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS

NMOS管

NMOS管就是negative（消极）管，与NMOS管相反的电流流动方向，“逆流而上”，那就是电流从漏极（输入端）到源极（输出端）

连接方式：NMOS管、N沟道类似于NPN型三极管，漏极D接正极，源极接负极，栅极正电压时，导电沟建立，N沟道MOS管开始工作

导通特性：NMOS是栅极高电平（|Vgs| > Vt）导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V-10V就可以

MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗，现在小功率MOS管导通电阻一般在十几毫欧左右。

MOS管在导通和截至的时候，一定不是瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损耗，通常开关损失比导通损失大很多，开关频率越高，损失越大

使用万用表测量二极管，在源极和栅极会出现二极管压降

• 如果是PMOS管，将红表笔放到栅极，使用黑表笔去测另外两级，出现压降的则为源极
• 如果是NMOS管，将黑表笔放到栅极，使用红表笔去测另外两级，出现压降的则为源极